2N...2SA...2SB...2SC...2SD...2SJ...2SK...3SK...AC...BC...BD...BF...BG...BL... BS...BU...D...G...H...I...J...K...L...M...P...R...S...T...U...V...Z...

Caracteristicas dos transistores

Tipo: É o nome do transistor.

Material: SI para silicio (Vbe=0,7V) e GE para germanio (Vbe=0,3V).

Canal: polarização N quer dizer NPN e P significa PNP.

VCE0: Maxima tensão entre coletor e emisor com a base aberta.

VCEsat: Tensão de saturação entre coletor e emissor.

VCER: Tensão entre coletor e emissor com resistor no emissor.

Ic: Maxima corrente de coletor.

Hfe: Ganho do transistor para uma determinada corrente de coletor.

Potencia: Maxima potencia dissipada(VCE*Ic).

Ib: Corrente de base.

Toff: Tempo de desligamento.

Po: Potência de saida.

Gp: Ganho de potência.

F: Fator de ruido.

Icm: Valor de pico de corrente do coletor.

Tamb: Temperatura ambiente.

Tmb: Temperatura da base de montagem.

Tenc: Temperatura do encapsulamento.

Frequência: Maxima frequência de utilização.

Em breve: Encapsulamento e códigos na seção transistor.

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